Victor Sidorov

RESUME of Victor Sidorov 

Address:  

33, Menzelstr., 12157 Berlin, Germany  

Telephone:   +49-30-8552728  
Mobile:  

+49-173-8475710  

e-mail:  

[email protected]

Birth date:   08 July 1963  
Family:  

Married, 1 son 

Citizenship:  Israeli, permanent residence in Germany 
Languages:  English (fluent), Hebrew (fluent), German (basic, enough for 
professional communication), Russian (mother tongue) 
 

Experience Summary: 

 
Projects management and engineering: 
1. Microelectronics: high-frequency and high-power (III-V, GaN), optoelectronics 
2. Semiconductor industry: photovoltaics, solar cells 
3. Micro- and nanotechnology: micro-machining, MEMS/MOEMS (sensors, 
actuators, optical and RF switches), photonics and optical fibers processing, 
nanotechnology (carbon nano-tubes, molecular electronics), vacuum microelectronics 
  
 

Professional Experience: 

 
2010 – 2012 

Odersun AG, Fürstenwalde, Germany. 

Leitung Work Center Operations, R&D Projektleiter. 

Responsibility: Design and development of photovoltaic 
devices, technology. Photo-absorber production line. 

 
2005 - 2010: 

FBH - Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für 
Höchstfrequenztechnik, Berlin, Germany 

Scientist. 

Resposibility:, High-power and high-voltage GaN/AlGaN 
devices. Surface phenomena and treatment. E-beam litho. 

 
2001 – 2005: 

Consultant (free-lance) 

Novatrans Group SA, Switzerland;BlueBird Optical MEMS 
Ltd., Israel; Whole-Optics, Israel; Weizmann Inst. of Science, 
Israel; Technion – Israel Inst. of Technology, Israel. 

 
1996 - 2004:  

Technion - Israel Institute of Technology.  Microelectronics 
Research Center, Electrical Engineering Faculty, Haifa, Israel  

Senior Researcher. 
Responsibility: Clean room for III-V semiconductors. 
Processing and characterization of III-V devices and MMIC. 
Nanotechnology research – in collaboration with  
Weizmann Institute of Science, Rehovot, Israel 

 
1994 - 1996:    

Mizur Micromechanics Technology Ltd. Nazareth Illit, Israel. 

Process development engineer. 

Responsibility: MEMS design and manufacturing.  

 
1992 – 1994:   

Kibbutz Hokuk, Israel. 
"First Home in Motherland" - special program for new 
immigrants. 

 
1985 -1991:    

Light Industry Institute. Moscow, USSR. 

Engineer-Researcher. 

R&D in the field of Si and Ge semiconductors. 

Education: 

 
 
1985-1989: Graduate training in Physics of semiconductor materials. Department of 
Higher Mathematics, Light Industry Institute, Moscow, USSR. 
 
1980-1985: MS Chemistry. Semiconductors department of Chemistry faculty, 
University of Voronezh, Russian Federation. Graduated with honours. 
1985: Research training in Semiconductor Department in Metallurgical Institute of 
USSR Academy of science, Moscow. Within the University syllabus. 
 
 

Courses:  

 
2004 – 2005: 3 postgraduate courses: Mathematics, Electrochemistry, Materials 
chemistry (6 credit points). Department of Chemical Physics, Weizmann Institute of 
Science, Rehovot, Israel. 
 
2003: 1

st

 National Workshop on electron-beam lithography. Tel-Aviv University 

Research Center for Nanoscience & Nanotechnology, Israel. 
 
2001: Photonics manufacturing (3 courses). OZ Optics Canada, Ottawa, Canada. 
 
1999-2000: 3 postgraduate courses: Heat and mass transfer phenomena, Advanced 
thermodynamics, Analytical methods in chemical engineering (7.5 credit points). 
Department of Chemical Engineering, Technion – Israel Inst. of Technology. 
 
1998: High-speed microelectronics devices. Department of Electrical Engineering, 
Technion – Israel Inst. of Technology. 
 
1990: Computer application. Qualification Advance Department of Moscow State 
University, USSR. 
 
 

Additional information: 

1.  1978-1984: Prizewinner in different ranges of student chemical competitions. 
2.  Biographical profile is included in Who’s Who in Science and Engineering, 

Marquis Who’s Who, 6

th

 and 7

th

 edition. 

3.  Biographical profile is included in 2000 Eminent Scientists of Today, nominee 
as an International Man of the Year for 2003, International Biographical Centre, 
Cambridge, England, 2003. 

List of Publications of Victor Sidorov 

1. 

R. Zhytnytska, O. Hilt, V. Sidorov, J. Würfl, G. Tränkle. GaN Flip Chip Power Transistor 

Optimization for Switching Applications. 34

th

 Workshop on Compound Semiconductor Devices 

and Integrated Circuits (WOCSDICE). Darmstadt, Germany, 2010. 

 
2. 

E. Bahat Treidel, O. Hilt, F. Brunner, V. Sidorov, J. Würfl, G. Tränkle. GaN-based double 

heterojunction HEMTs’ breakdown voltage enhancement using multiple grating field plates. 34

th

Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE). 
Darmstadt, Germany, 2010. 

 
3. 

E. Bahat-Treidel, O. Hilt, F. Brunner, V. Sidorov, J. Würfl, and G. Trankle. 

AlGaN/GaN/AlGaN DH HEMTs breakdown voltage enhancement using Multiple Grating Field 
Plates (MGFPs). Electron Devices, IEEE Transactions on, Vol. 57, no. 6, pp. 1208-1216, 2010 

 
4. 

R. Zhytnytska, J. Würfl, V. Sidorov. Flip-Chip-Technologie mit neuartigen UBM für die 

Ankontaktierung von Transistoren in III/V-Technologie. Mikrosystemtechnik-Kongress 2009 
vom 12.-14. Oktober 2009 in Berlin 

 
5. 

O. Hilt, E. Bahat-Treidel, V. Sidorov, and J. Würfl. Gate-Length Dependent on-state 2DEG 

Constriction in AlGaN/GaN HEMTs. In The 32nd Workshop on Compound Semiconductor 
Devices and Integrated Circuits, abstract book. M. Germain, , pp. 29-30. Ed. 2008 

 
6. 

E. Bahat-Treidel, V. Sidorov, J. Würfl, and G. Trankle, "Simulation of AlGaN/GaN HEMTs' 

breakdown voltage enhancement using grating field plates," in Simulation of Semiconductor 
Processes and Devices 2007, 12 ed. T. Grasser and S. Selbererr, Eds. Vienna: Springer Vienna, , 
pp. 277-279. 2007 

 
7. 

E. Cohen, Y. Betser, B. Sheinman, S. Cohen, S. Sidorov, A. Gavrilov, and D. Ritter "75 GHz 

InP HBT Distributed Amplifier with Record  Figures of Merit and Low Power Dissipation" IEEE 
Transaction on Electron Devices, 53,  pp.: 392 - 394. Feb. 2006 

 
8. 

Oded Dassa, Victor Sidorov, Yaron Paz, Dan Ritter. Coating and passivation of InP-InGaAs 

devices by organic self-assembled monolayers. Journal of the Electrochemical Society, Vol. 153, 
no 1, pp.:  G91-G97 (2006) 
 

9. 

D. Cohen Elias, S. Kraus, A. Gavrilov, S. Cohen, N. Buadana, V. Sidorov, and D. Ritter. 

Design and Performance of InP/GaInAs/InP abrupt DHBTs.  Indium Phosphide & Related 
Materials (IPRM 2005) 
 

10. 

E. Cohen, Y. Betser, B. Sheinman1, S. Cohen, V. Sidorov, A. Gavrilov, and D. Ritter. 75 GHz 

InP HBT DISTRIBUTED AMPLIFIER WITH RECORD FIGURES OF MERIT AND LOW 
POWER DISSIPATION FOR OEIC APPLICATIONS. Indium Phosphide & Related Materials 
(IPRM 2005) 
 

11. 

D. Cohen Elias, S. Kraus, A. Gavrilov, S. Cohen, N. Buadana, V. Sidorov, and D. Ritter. 

Abrupt InP/GaInAs/InP DHBTs. IEEE Electron Device Letters; 26(1): pp.: 14-16, Jan. 2005 

 
12. 

Dm. Shvarts, M. Hazani, B. Ya. Shapiro, G. Leitus, V.Sidorov, R. Naaman, Molecular 

Induced Field Effect in Superconducting Nb Films, Eu. Phys. Lett., 72, 465-471 (2005). 
 

13. 

Miron Hazani, Dmitry Shvarts, Dana Peled, Victor Sidorov, Ron Naaman. Self-assembled 

electrical circuits and their electronic properties.  Farday Discussion (2005). 
 

14. 

Miron Hazani, Dmitry Shvarts, Dana Peled, Victor Sidorov, and Ron Naaman. Self-assembled 

carbon-nanotube-based field-effect transistors. Appl. Phys. Lett. 85, 21, pp.:5025-5027, Nov 2004 
 

15. 

M. Hazani, F. Hennrich, M. M. Kappes, R. Naaman, D. Peled, V. Sidorov, and D. Shvarts. 

DNA mediated self assembly of carbon nanotube based electronic devices.  Chem. Phys. Lett. 391, 
389 (2004). 
 

16. 

G. Zohar, S. Cohen, V. Sidorov, A. Gavrilov, B. Sheinman, and D. Ritter. Reduction of base 

transit time of InP/GaInAs heterojunction bipolar transistors due to electron injection from an 
energy ramp and base composition grading.  IEEE-Transactions-on-Electron-Devices, 51(5): pp.: 
653-657, May 2004 

 
17. 

B. Sheinman, V. Sidorov, and D. Ritter. Capacitance of Abrupt One-Sided InP/GaInAs 

Heterojunctions. IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Santa-Barbara 
CA, May 2003. 

 
18. 

O. Dassa, V. Sidorov, D. Ritter, and Y. Paz. Passivation of III-V Semiconductors by Organic 

Self-Assembled Monolayers (SAMs): Effect of Lattice Planes. EMCC-3: 3

rd

 Chemical 

Engineering Conference for Collaborative Research in Eastern Mediterranean, Thessalonici, 
Greece, May 13-15, 2003. 
 

19. 

D. Ritter, B. Sheinman, V. Sidorov, S. Cohen, A. Gavrilov, Y. Vered, and G. Zohar, 

Optimization of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors and Phototransistors – Invaited 
paper. IEEE Conference on Microwave Photonics, Awaji, Japan, November 5-8, 2002, pp. 337-
340. 

 
20. 

Lasri, A. Bilenca, D. Dahan, V. Sidorov, G. Eisenstein, D. Ritter, and K. Yvind, A Self-

Starting Hybrid Optoelectronic Oscillator Generating Ultra Low Jitter 10-GHz Optical Pulses and 
Low Phase Noise Electrical Signals, IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 14, no. 7, July 2002 
 

21. 

B. Sheinman, E. Wasige, M. Rudolph, R. Doerner, V. Sidorov, S. Cohen, and D. Ritter, A 

Peeling Algorithm for Extraction of the HBT Small-Signal Equivalent Circuit. IEEE Transactions 
on Microwave Theory and Techniques, Vol. 50, no. 12, pp. 2804-2810, December 2002 

 
22. 

M.Schvartzman, V. Sidorov, D. Ritter, and Y. Paz, Passivation of InP Surfaces of Electronic 

Devices by Organothiolated Self-Assembled Monolayers. Accepted, Journal of Vacuum Science 
and Technology B, Vol. 21, no. 1, pp. 148-155. 

 
23. 

E.Wasige, B.Sheinman, V.Sidorov, S.Cohen, and D.Ritter, An analytic expression for the 

HBT extrinsic base-collector capacitance derived from S-parameter measurements. IEEE MTT-S 
International Microwave Symposium, Seattle, Washington, 2-7 June 2002, pp. 733-736. 

 
24. 

Schvartzman, M.; Sidorov, V.; Ritter, D.  and Paz, Y. Surface passivation of (100) InP by 

organic thiols and polyimide as characterized by steady-state photoluminescence. Semicond. Sci. 
Technol. 16 (2001) L68–L71 

 
25. 

Lasri, J.; Bilenca, A.; Eisenstein, G.; Ritter, D.; Orenstein, M.; Cohen, S.; Sidorov, V. Self 

oscillation at millimeter-wave frequencies and modulation using optoelectronic mixing in a two-
heterojunction bipolar photo-transistors configuration. IEEE Photonics Technology Letters

, 

Vol. 

13, no. 1, January 2001. 

 
26. 

Lasri, J.; Bilenca, A.; Eisenstein, G.; Ritter, D.; Orenstein, M.; Sidorov, V.; Cohen, S          

Goldgeier, P.A two heterojunction bipolar photo-transistor configuration for millimeter wave 
generation and modulation. Microwave Photonics, 2000. MWP 2000. IEEE International Topical 
Meeting 2000, pp:  62

–65. 

 
27. 

Bilenca, A.; Lasri, J.; Eisenstein, G.; Ritter, D.; Orenstein, M.; Sidorov, V.; Cohen, S.; 

Goldgeier, P., Experimental demonstration and modelling of optoelectronic mixing and digital 
modulation in a single InP photo heterojunction bipolar transistor. Microwave Photonics, 2000. 
MWP 2000. IEEE International Topical Meeting 2000, pp: 203 –206 

 
28. 

A. Bilenca, J. Lasri, G. Eisenstein, D. Ritter,V. Sidorov, S. Cohen, P. Goldgeier, and M. 

Orenstein. Optoelectronic Generation and Modulation of Millimeter Waves in a Single InP–

GaInAs Photo Heterojunction Bipolar Transistor.

IEEE Photonics Technology Letters

, 

Vol. 12, no. 

9, October

2000. 

29. 

J. Lasri, Y. Betser, V. Sidorov, S. Cohen, D. Ritter, M. Orenstein and G. Eisenstein. HBT 

Optoelectronic Mixer at Microwave Frequencies: Modeling and Experimental Characterization.  
Journal of Lightwave Technology, vol. 17, no 8, pp.1423-1428, August 1999.

30. 

J. Lasri, P. Goldgeier, V. Sidorov, D. Ritter, M. Orenstein, G. Eisenstein, Y. Betser, Y. Satubi. 

Frequency Locking at 50 GHz Spacings Using Optoelectronic Mixing in Photo - Heterojunction 
Bipolar Transistors. IEEE Photonics Technology Letters, vol. 11, no 10, pp. 1298-1300, October 
1999.

31. 

Sidorov V., Shai A., Ritter D., Paz Y. Polyimide Coating on Non-Planar Microelectronic 

Devices: Characterization of Vacuum Drying Effects by a New "Flip-Paste" Back-Etching 
Method. Surface and Coating Technology, vol. 122, no 2-3, pp. 214-218, December 1999. 
 

32. 

Y. Betser, J. Lasri, V. Sidorov, S. Cohen, D. Ritter, M. Orenstein,  G.Eisenstein, A. Seeds, and 

A. Madgar. An integrated heterojunction bipolar transistor cascode opto-electronic mixer. IEEE 
Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 47, Issue 7, Part 2, July 1999 
 

33. 

Liu, C.P., Seeds, A.J., Betser, Y. Sidorov, V., Ritter, D.; Madjar. A Two-tone third-order 

intermodulation distortion characteristics of an HBT optoelectronic mixer using a two-laser 
approach. MWP '99 - International Topical Meeting on Microwave Photonics, vol. 1, pp. 87 -90, 
1999 
 

34. 

Syzdykova, Kudaikulova, Boiko G.I., Zhubanov, Figovsky O., Sidorov V., Kupchishin and 

Abadie M. Reflective Mirror Films on Polyimide Substrate with High Electro and Thermal 
Conductivity. Proceedings of  STEPI 5th European Technical Symposium of Polyimides & High 
Performance Functional Polymers (Chemistry, Physics & Properties), Montpellier, France , May 
3-5, 1999, paper IV6. 
 

35. 

Sidorov V., Paz Y., Ritter D. New Method for Observation of Polyimide Adhesion on Non-

planar Surface. Proceedings of 3rd International Conference on Adhesive Joining & Coating 
Technology in Electronics Manufacturing, pp. 202-205. September 27 - 30, 1998  
 

36. 

Sidorov V. A., Samodurov I. S., Sidorov V.V. Mixed Plane Problem of Elasticity Theory for 

Orthotropic Object in Cartesian Coordinates. Russian Institute of Scientific and Technical 
Information, Reg. # 1156-B94 (22.05.94) 

37. 

Sidorov V. A semi-empirical estimation of minimum point composition for binary metal 

infinite solid solution (Russian). Physics and Chemistry of Heterogenious Systems, pp. 105 -111. 
Voronezh State University, Russia, 1984 
 
 

Patents 

 
1.  V. Sidorov, R. Zhytnytska and H.-J. Würfl.

A method for producing a metallization for at 

least one contact pad and the semiconductor wafer with metallization for at least one contact 
pad. Patent Application U.S. 2012/0080794 A10 Pub. Date 2012-04-05 

 
2.  V. Sidorov, R. Zhytnytska and H.-J. Würfl.

Full-dry process for interconnect formation and 

underbump metallisation. Patent Number: 10 2009 013 921.4, Pub. Date: 2010-09-30 

 
3.  E. Bahat-Treidel, V. Sidorov, and J. Würfl, "Semiconductor Component and Method for 

Producing the Same," Patent Number: EP2135286, Publication date: 2009-12-23. 

 
4.  Y. Nemirovsky, E. Sidorov, V. Sidorov. Method for the metallization of optical fibers. United 

States Patent 6798963, Issued on September 28, 2004. 

References 
 

1. 

Dr.-Ing. Joachim Würfl - Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für 

Höchstfrequenztechnik, Head of GaN electronics business area. Tel: +49.30.639- 
2690, Fax: +49.30.6392-2685, e-mail: 

[email protected]

 . 

 
2. 

Prof. Dan Ritter, Technion – Israel Inst. of Technology, Dept. of Electrical 

Engineering, Tel: 972-4-8-294206, Fax: 972-4-8-322185, e-mail: 

[email protected]

, 

3. 

Prof. Yael Nemirovsky, Technion – Israel Inst. of Technology, Dept. of 

Electrical Engineering, Tel: +972-4-8294688, Fax: +972-4-8295757, e-mail: 

[email protected]

 
Additional: 
 
4. 

Shay Kaplan, Mizur Technology Ltd.- Founder and General Manager, 

Microsense Ltd. – CEO. E-mail: 

[email protected]

, Tel: 972-4-644-24-79; 

Fax: 972-4-644-28-03.  

 
5. 

Prof. Figovsky Oleg. L., Eurotech Ltd., Technical Director and Advisory 

Board Member, Tel: 972-4-8257403, Fax: 972-4-8238736, e-mail: 

[email protected]

; Home Page: 

http://figovsky.borfig.com

. 

Department of Electrical Engineering 

Professor Dan Ritter 

E l e c t r o n i c s  
C o m p u t e rs  
C o m m u n i c a t i o n s

Technion—Israel Institute of Technology

Technion City, Haifa 32000,  I s rae l,   Tel: 972-4-8294206   Fax: 972-4-8295757,   Email: [email protected] 

 
July 23, 2012 
 
Mr. Victor Sidorov – letter of recommendation 
 
Victor  Sidorov  has  been  working  under  my  supervision  during  Sep.  1996  -  Jul.  2004  as  a 
senior  device  engineer.  Our  group  of  Electrical  Engineering  Faculty  works  in  the  field  of 
microwave and photonic discrete devices and circuits based on III-V semiconductors (mainly 
indium  phosphide).He  developed  a complex  fabrication  process  of  indium  phosphide  based 
transistors,  phototransistors,  and  photodetectors,  and  achieved  state  of  the  art  results  in  this 
demanding  field  of  microwave  transistors  and  photonic  devices.  At  that  moment  the 
achievement of our group was HBT with F

T

 and F

max  

of about 350 GHz. 

Mr.  Sidorov  worked  hard  to  develop  electronic  circuits  with  an  ever-increased  yield.  He 
successfully  introduced  various  process  modifications,  which  rendered  our  process  much 
more controllable and stable. Mr. Sidorov incorporated novel approaches and ideas into our 
process  flow;  based  on  his  profound  understanding  of  the  crystalline  structure  of 
semiconductors.  He  invented  several  novel  non-destructive  methods  of  in-lines  inspection 
and control. 
On  top  of  his  routine  task,  Mr.  Sidorov  initiated  and  supervised  several  graduate  student 
projects  in  collaboration  with  the  Chemical  Engineering  Faculty  on  non-planar  device 
surface  passivation.  His  excellent  background  in  physics  and  chemistry  was  of  much  help 
here.  The  results  of  this  research  were  reported  in  numerous  publications,  conference 
presentations, and thesis reports. 
An  additional  task  Mr.  Sidorov  performed  with  much  success  in  supervision  and 
coordinating  the  activity  in  one  of  our  university  clean  room  modules.  The  relationship 
between  engineers  working  in  these  crowded  conditions  improved  considerably  since  Mr. 
Sidorov  took  charge,  and  the  equipment  runs  in  a  much  more  stable  manner.  The  various 
fabrication processes are more stable and repeatable, as a direct result of the work practices 
he has introduced. 
Mr.  Sidorov  is  highly  responsible,  disciplined,  persistent,  and  very  friendly.  He  is  an 
experienced engineer as well as a researcher capable of doing original work. He is certainly 
capable of leading complex projects and fairly large teams. He learns quickly, and constantly 
makes progress advancing the level of his knowledge and skills. 
It  is  my  pleasure  to  recommend  Mr.  Victor  Sidorov  for  any  challenging  position  he  may 
apply for. Please do not hesitate to contact me for further information. 
 
Sincerely 
 
 
 
 
Dan Ritter 
 

Department of Electrical Engineering  

 
Professor Yael Nemirovsky                                                     

Elect ronic s  
Co mp ut e rs  
Co mm uni ca tio ns

Technion—Israel Institute of Technology

Technion City, Haifa 32000, Israel, Tel: 972-4-8294688,   Fax: 972-4-8295757,   Email: [email protected] 

August 8, 2012

Mr. Victor Sidorov – letter of recommendation 

 
Victor  Sidorov  has  been  collaborating  with  Micro-Electro-Mechanical  Systems  (MEMS) 
research  group  Technion  Electrical  Engineering  Faculty  under  my  supervision  as  well  as 
consulting  BlueBird  Optical  MEMS  Inc.  start-up  that  I  had  been  heading  (Founder  and 
President (CEO), Chief scientist) during 1996 - 2005. 
 
This  collaborating  based  on  deep  knowledge  he  brought  from  MEMS  industry  and  high 
competence and ability as researcher and scientist. 
BlueBird Optical  MEMS  Inc. had provided an activity in  field  of MEMS and MOEMS for 
optical fiber communication and RF applications.   
 
V.  Sidorov  improved  his  professional  level  continuously.  During  the  time  period  he 
completed both industrial courses (at OZ Optics, Ottawa, Canada) as well as academic ones 
(Technion). 
 
I  would  also  like  to  acknowledge  the  activity  of  V.  Sidorov  in  Kidron  Microelectronics 
Research Center: dry etching process development and fine calibration, sophisticated metals 
and dielectric coatings and their combinations, high-quality lithography equipment utilization 
are only few examples of his skill.  
 
I would recommend Mr. Sidorov as highly professional, competent, responsible, disciplined, 
and friendly project manager, engineer, and researcher with ability to work hard and fruitful 
in team as well as independent. 
 
In  summary,  Mr.  Sidorov  will  be  an  asset  to  any  research,  industrial  or  educational 

organization. 

Best Regards, 

Prof. Yael Nemirovsky, IEEE Fellow